发布日期：2024-10-07 22:24 点击次数：172
天海翼作品8月28日到30日，英飞凌（Infineon）亮相于深圳举办的 “2024深圳海外电力元件、可再生能源治理博览会（以下简称PCIM Asia）”，围绕“数字低碳天海翼作品，共创改日”的品牌愿景，英飞凌展示了平时的硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率电子产物组合，其中多款诓骗于可再生能源、电动交通、智能家居的产物和处置决议初次亮相。电子发热友记者现场探馆，和大家共享一下现款式见。
启动电动汽车改进，英飞凌展示翻新SiC模块产物琢磨机构EVTank数据露出，2023年全球新能源汽车销量达到1465.3万辆，同比增长35.4%。字据海外能源署揣摸，到2030年底，全球新能源汽车需求达到5400万辆，是2023年全球新能源汽车销量的三倍。连年来，碳化硅阛阓闹热发展，即是光伏、储能和电动汽车及充电诓骗苍劲增长带来的。
在PCIM展英飞凌展台区域，电动汽车和绿色出行的现场不雅众许多。英飞凌展示了旗下汽车半导体限度的HybridPACK™ Drive G2 Fusion模块和Chip Embedding功率器件，其中Chip Embedding则不错径直集成在PCB板中，作念到极致小的杂散和极致高集成度的会通。现场责任主说念主员默示，Chip Embedding不错诓骗于800V电压平台，比较其他厂商趋向作念成模块，这款产物可径直集成到PCB板中，愈加袖珍化，高集成度，高功率密度，这是英飞凌独家推出的一款翻新产物。
图：HybridPACK™ Drive G2 Fusion
HybridPACK™ Drive G2 Fusion模块会通了IGBT和SiC芯片，可最大物化说明牵引逆变器的SiC后劲。该模块会通了IGBT和SiC芯片，是英飞凌专为夹杂能源和电动汽车牵引而谋略的紧凑型电源模块。第二代HybridPACK Drive G2推出了EDT3 (Si IGBT)和CoolSiC G2 MOSFET时代，支撑400V整车系统诓骗，评估套件不错支撑200Kw主驱电机逆变器诓骗，这个夹杂模块令Si和SiC智能组合终澄澈资本与服从的最好均衡。
图：HybridPACK™ Drive G2 Fusion
此外，针对汽车电控，英飞凌电控系统处置决议继承第二代HybridPACK™ Drive碳化硅功率模块的电机规章器系统进行演示，该系统集成了AURIX™ TC4系列产物、第二代1200V SiC HybridPACK™ Drive模块、第三代EiceDRIVER™启动芯片1EDI30XX、无磁芯电流传感器等。
此外，英飞凌展出了新一代碳化硅时代CoolSiC™ MOSFET Gen2时代，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V G2时代，与上一代产物比较，在确保质料和可靠性的前提下，MOSFET的主要性能主义（e.g.能量损耗和存储电荷）优化了20%，显耀升迁全体能效。现场展出了用于1200V CoolSiC™ MOSFET、用于2000V CoolSiC™ MOSFET和栅极启动器评估板。
俺去也 英飞凌展出GaN新品和IGBT 7器件，鼓励储能和工业诓骗升迁服从在PCIM展上，英飞凌展出了三款氮化镓功率器件处置决议。一是雷蛇280W氮化镓充电器；二是英飞凌中压氮化镓马达启动决议；三是650V CoolGaN™双向开关BDS演示版。
现场责任主说念主员先容，这款雷蛇280W淡化及充电器继承英飞凌GaN芯片，GaN充电器为条记本电脑游戏阛阓带来新增长能源，英飞凌的氮化镓芯片令适配器更小、更轻、更弘大和愈加环保，该适配器使用两个GS-065-030-2-L GaN晶体管。
本年，东说念主形机器东说念主赛说念大热，跟着东说念主形机器东说念主的快速发展，高功率密度的马达启动产物需求日益繁荣。基于原有的硅基半导体开关器件所谋略的马达启动，在提高功率密度决议有较大挑战，借助英飞凌推出的中压氮化镓马达启动决议，不错将开关频率从20KHz提高到100KHz，进而大幅度升迁功率密度。况且开关频率的升迁有助于改善电机和延缓器性能，从而提高整机的系统服从。
现场，英飞凌650V 双向开关(BDS)氮化镓产物引起记者的肃穆。这款产物是业内首款双向开关意见器件，在拓扑等诓骗限度，通过一颗CoolGaN™ BDS就不错终了之前四颗芯片才智完成的功能，简化客户传统的双边开关复杂电路谋略，大幅升迁性能和优化资本。该产物可诓骗于包括工作器中的母板和UPS、耗尽电子中的OVP和USB-OTG、电动器具中的电板治理等。这款产物在智能家居、工业限度诓骗相等平时。
在PCIM展会上，英飞凌展出了TRENCHSTOP IGBT7 PrimePACK 3+1200V半桥模块，PrimPACK3+ 2300V 1800A IGBT7模块，现场责任主说念主员默示，IGBT7时代比较上一代时代开关损耗小，由于IGBT7继承12吋晶圆，资本上风明显。以继承微沟槽时代1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 芯片的62mm 模块系列为例，其静态损耗远远低于搭载 IGBT4 芯片组的模块。这些特质大大裁汰了诓骗中的损耗，在以中等开关频率责任的工业电机启动中尤为显耀。这些产物主要诓骗场景包括兆瓦级聚首式光伏逆变器及储能、接续绝电源(UPS) 、通用电机启动和新兴诓骗固态断路器。
还有，针对AI工作器54V输出平台，英飞凌开拓的3.3kW PSU专用Demo板，继承了英飞凌的CoolGaN™、CoolSiC™、CoolMOS™谋略，以及英飞凌自有的规章芯片XMC系列等齐备的处置决议，可终了整机基准服从97.5%，功率密度高达96W每英寸立方，处置数据中心PSU高功率需求。
英飞凌展台东说念主流束缚，第三代半导体器件在多个场景的诓骗案例，给现场的不雅众和工程师带来了更多信心和助力，确信2024年是可再生能源大发展的一年，中国工程师不错在英飞凌展台找到更多高效的功率器件天海翼作品，期待来岁有更多新品展示。本文由电子发热友原创，转载请注明以上起首。微信号zy1052625525。需入群疏浚，请添加微信elecfans999，投稿爆料采访需求，请发邮箱zhangying@huaqiu.com。